温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPN2R203NC,L1Q(M
1个N沟道 耐压:30V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低漏电流：IDD = 10 μA（最大值）(VDS = 30V)。 增强模式：VHA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V，ID = 0.5mA)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN2R203NC,L1Q(M
- 商品编号
- C471286
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,22.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=1.8 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
- 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)
- 增强模式：Vth = 1.3 至 2.3 V (ΔVDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
应用领域
- 电源管理开关
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交16单