SW1N60M

这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性,包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷,尤其是出色的雪崩特性。

• 高耐用性
• 低 RDS(ON)(典型值 7.7 Ω)@ VGS = 10 V
• 低栅极电荷(典型值 6nC)
• 改善的 dv/dt 能力
• 100% 雪崩测试

-LED-充电器-电脑电源