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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 低阈值电压
- 快速开关速度
- 无卤无铅
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 低RDS(ON)的 P 沟道开关
应用领域
-便携式设备的负载开关-电压控制小信号开关