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SKST065N08N
1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- SKST065N08N
- 商品编号
- C467180
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 164W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF@42.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF@42.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 19 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 70 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值60 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值60 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 改进的静电放电（ESD）能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 等离子电视（PDP TV）
- 不间断电源
- 交直流电源