UCC27614DSGR
具有 -10V 输入能力的单通道 30V、10A 低侧栅极驱动器
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- 描述
- 单通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A,有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。 可以在输入端处理-10V的电压,通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27614DSGR
- 商品编号
- C4154867
- 商品封装
- WSON-8-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
- 立创商城设计参考
- 栅极驱动-(1)低侧驱动6A以上
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 10A | |
| 拉电流(IOH) | 10A | |
| 工作电压 | 4.5V~26V | |
| 上升时间(tr) | 6ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 17.5ns | |
| 传播延迟 tpHL | 17.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 500uA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
UCC27614 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。UCC27614 的典型峰值驱动强度为 10A,这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。UCC27614 器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。UCC27614 可以在输入端处理 –10V 的电压,通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性。输入与电源电压无关,可以连接大多数控制器输出,从而更大程度地提高控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。如果在系统中检测到故障,栅极驱动器可以快速关断功率级(需要关断动力总成)。使能功能还可提高系统稳健性。许多高频开关电源在电源器件的栅极都存在高频噪音,这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚,造成驱动器故障。UCC27614 具有瞬态反向电流和反向电压功能,因此在这种情况下具有优异的性能。如果 VDD 电压低于指定的 UVLO 阈值,强大的内部下拉 MOSFET 可使输出保持低电平。此有源下拉特性可进一步改善系统稳健性。UCC27614 器件采用 2-mm ×2mm 封装并提供 10A 驱动电流,可提高系统功率密度。这种小型封装还可优化栅极驱动器放置并改进布局。如需了解所有可用封装,请见产品说明书末尾的可订购产品附录。
商品特性
- 典型 10A 灌电流,10A 拉电流输出
- 输入和使能引脚可承受高达 –10V 的电压
- 最大 VDD 电压:30V
- 宽 VDD 工作电压范围:4.5V 至 26V,具有 UVLO 功能
- 采用 2mm X 2mm SON8 封装
- 典型值为 17.5ns 的传播延迟
- SOIC8 封装的 EN(使能)引脚
- IN– 引脚可用于启用/禁用功能
- VDD 独立输入阈值(兼容 TTL)
- 可用作反相或同相驱动器
- 工作结温范围:–40℃ 至 150℃
应用领域
- 电信开关模式电源
- 功率因数校正 (PFC) 电路
- 太阳能电源
- 电机驱动器
- 高频线路驱动器
- 脉冲变压器驱动器
- 高功率缓冲器



