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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- N沟道,60V,340mA,5Ω@10V
- 品牌名称
- High Diode(海德)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C466661
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该器件专为满足蜂窝手机和其他超便携式应用中的双开关需求而设计，采用单封装解决方案。它具备两个独立的N沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。 MicroFET 1.6x1.6 Thin封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为3.4 A时，最大漏源导通电阻 = 66 mΩ
- 栅源电压为2.5 V、漏极电流为2.9 A时，最大漏源导通电阻 = 86 mΩ
- 栅源电压为1.8 V、漏极电流为2.5 A时，最大漏源导通电阻 = 113 mΩ
- 栅源电压为1.5 V、漏极电流为2.1 A时，最大漏源导通电阻 = 160 mΩ
- 低外形：新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装的最大高度为0.55 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级 > 1600 V
- 符合RoHS标准
应用领域
- 基带开关
- 负载开关