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HD3400

1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

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描述: N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V
品牌名称: High Diode(海德)
商品型号: HD3400
商品编号: C466665
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.033克(g)

商品参数

商品概述

SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，内部栅源ESD二极管可承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET非常适合用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。

商品特性

漏源导通电阻（RDS(on)） = 3.4 Ω（典型值）
超低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg） = 6.8 nC）
低输出存储能量（Eoss）（400 V时典型值为0.8 μJ）
低有效输出电容（典型有效输出电容（Coss(eff.)） = 36 pF）
100%雪崩测试
符合RoHS标准
增强的ESD能力

应用领域

交流 - 直流电源
LED照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	5.8A
	导通电阻(RDS(on))	52mΩ@2.5V,4A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	350mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.4V
	输入电容(Ciss)	1.05nF
	反向传输电容(Crss)	77pF
	工作温度	-55℃~+150℃