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PJA3440_R1_005A2
N沟道 40V 4.3A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@4.3A < 42mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@3.9A < 51mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用和固态继电器设计。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤素）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3440_R1_005A2
- 商品编号
- C44804017
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V；35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为4.3A时,导通电阻RDS(ON)<42mΩ
- 栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为3.9A时,导通电阻RDS(ON)<51mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用和固态继电器设计
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)