立创商城logo
购物车0
NTBL032N065M3S引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTBL032N065M3S

硅碳化物MOSFET,低栅极电荷,高速开关

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTBL032N065M3S
商品编号
C44381358
商品封装
H-PSOF-8L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)55A
耗散功率(Pd)227W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC
输入电容(Ciss)1.396nF
反向传输电容(Crss)8.9pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)115pF
导通电阻(RDS(on))44mΩ

商品特性

  • 典型 RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = 18 V
  • 超低栅极电荷 (Q_G(tot) = 55 nC)
  • 具有低电容 (Coss = 113 pF) 的高速开关性能
  • 经过100%雪崩测试
  • 该器件无卤化物,符合 RoHS 标准(豁免 7a),且为无铅 2LI(第二级互连)

应用领域

  • 开关模式电源
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 能量存储
  • 电动汽车充电基础设施

数据手册PDF