NTBL032N065M3S
硅碳化物MOSFET,低栅极电荷,高速开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBL032N065M3S
- 商品编号
- C44381358
- 商品封装
- H-PSOF-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.396nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ |
商品特性
- 典型 RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = 18 V
- 超低栅极电荷 (Q_G(tot) = 55 nC)
- 具有低电容 (Coss = 113 pF) 的高速开关性能
- 经过100%雪崩测试
- 该器件无卤化物,符合 RoHS 标准(豁免 7a),且为无铅 2LI(第二级互连)
应用领域
- 开关模式电源
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 能量存储
- 电动汽车充电基础设施

