- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 293W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 177nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.838nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 采用CRM(CQ)先进的SkyMOS4技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数)
- 符合JEDEC标准
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理系统-不间断电源(UPS)