- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NGD4300DD-Q100J
高性能双MOSFET栅极驱动器
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NGD4300DD-Q100J
- 商品编号
- C44376158
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 3.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 13ns | |
| 传播延迟 tpHL | 13ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 60uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 |
商品概述
NGD4300-Q100 是一款高性能栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。其浮动高侧驱动器可在高达 120V 的轨电压下工作，并采用集成二极管的引导电源供电。低侧和高侧输出驱动器均具有独立的欠压锁定电路，当驱动器电源电压低于其阈值电平时，该电路会禁用输出驱动器。NGD4300-Q100 可接受低至 2.5V (±10%) 且符合 TTL 和 CMOS 信号标准的输入控制信号。由内部电压调节器提供的低压用于为控制低侧和高侧功率开关的信号路径中的电路供电。这使得无论 IC 电源电压如何，都能实现低功耗运行和更受控的驱动器性能。低侧和高侧信号路径实现了 1 ns（典型值）的出色延迟匹配。驱动器输出级具有 4 A 峰值拉电流和 5 A 峰值灌电流能力，即使在重负载下也能保证较短的上升和下降时间。NGD4300-Q100 采用 HSO8 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。该产品已通过汽车电子委员会 AEC-Q100（1 级）标准认证，适用于汽车应用。
商品特性
- 符合 AEC-Q100（1 级）标准的汽车产品认证
- 工作温度范围指定为 -40°C 至 +125°C
- 输入信号兼容 2.5V、3.3V 和 5V 的 TTL 和 CMOS 信号标准
- 输出信号具有 1 ns（典型值）的传播延迟匹配
- 典型传播时间为 13 ns
- 开关频率高达 1 MHz
- 栅极驱动器输出级具有 4 A 峰值拉电流和 5 A 峰值灌电流能力
- 在 1000 pF 负载下，上升时间为 4 ns，下降时间为 3.5 ns
- 采用集成引导二极管，引导电源电压高达 120V
- 工作电压范围为 8V 至 17V VDD
- 为低侧和高侧电源提供欠压保护
- 低功耗，典型静态电流为 0.6 mA
- 8 引脚 HSO8 封装
- ESD 保护：HBM 符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2 类标准，超过 2000 V；CDM 符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 C3 类标准，超过 1000 V
应用领域
- 电流馈送式推挽转换器
- 双开关正激功率转换器
- D类音频放大器
- 固态电机驱动器