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BC847BVN-7
NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V
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- 描述
- 特性：外延芯片结构。 一个封装中有两个内部隔离的NPN/PNP晶体管。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BC847BVN-7
- 商品编号
- C459863
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200@2.0mA,5.0V | |
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 90mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品特性
- 外延芯片结构
- 单封装内集成两个内部隔离的NPN/PNP晶体管
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 另有符合汽车应用标准的产品型号（BC847BVNQ），其规格书单独提供