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MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
8Gb、16Gb：x8、x16 NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
- 商品编号
- C458421
- 商品封装
- VFBGA-63
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 30ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口1.0规范
- 采用单层单元技术
- 页大小（x8）：4320字节（4096+224字节）
- 页大小（x16）：2160字（2048+112字）
- 块大小：64页（256K+14K字节）
- 平面大小：2个平面，每个平面2048块
- 器件密度：8Gb对应4096块，16Gb对应8192块
- 异步输入/输出性能：tRC/tWC为20纳秒（3.3V）或30纳秒（1.8V）
- 阵列性能：页读取时间为25微秒，页编程时间为200微秒（典型值），块擦除时间为2毫秒（典型值）
- 支持高级命令集，包括页缓存编程模式、页缓存读取模式、一次性可编程模式、块锁定、可编程驱动强度、双平面命令、多晶片操作、读取标识符和内部数据搬移
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件以及写保护状态的软件方法
- 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
- 写保护信号用于保护整个器件
- 工作电压范围：VCC为2.7至3.6伏或1.7至1.95伏
- 工作温度范围：商业级为0摄氏度至70摄氏度，工业级为-40摄氏度至85摄氏度
- 封装形式：48引脚TSOP类型1和63焊球VFBGA
- MT28EW01GABA1HJS-0SIT
- 74ALVCH16245PAG
- 557GI-05ALF
- DG636EEN-T1-GE4
- 0201B102J160CT
- 0201B102J500CT
- 0201B181J500CT
- 0201B222J160CT
- 0201N0R5C500CT
- 0201N0R8B500CT
- 0201N1R5B250CT
- 0201N1R8D250CT
- 0201N200F250CT
- 0201N4R7B250CT
- 0201N9R0C500CT
- 0201S104K6R3CT
- 0201X473K6R3CT
- 0402B122K250CT
- 0402B182J500CT
- 0402B224K6R3CT
- 0402B393K250CT