温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DG636EEN-T1-GE4

0.3 pC电荷注入, 100 pA泄漏电流CMOS±5V/5V/3V双SPDT模拟开关

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: DG636E是一款双SPDT CMOS模拟开关，设计用于+3 V至+16 V单电源或±3 V至±8 V双电源。它在+3V、+5V和±5V下完全指定。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: DG636EEN-T1-GE4
商品编号: C458808
商品封装: UQFN-16(1.8x2.6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0226克(g)

商品参数

商品概述

DG636E是一款双路单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，设计用于+3 V至+16 V单电源或±3 V至±8 V双电源供电。DG636E在+3 V、+5 V和±5 V电源下进行了全面规格定义。 DG636E在整个信号范围内提供小于±0.4 pC的超低电荷注入，在25 ℃时典型漏电流为13 pA。其典型导通电阻为63 Ω，源极关断时寄生电容低至3.7 pF，漏极导通时为8.4 pF。该器件非常适合用于模拟前端、数据采集以及采样保持设计，可实现快速且精确的信号切换。 DG636E通过3位二进制地址线A0、A1和EN，将两个输入之一切换至公共输出。每个开关导通时双向导通性能相同，关断时可阻断高达电源电压的输入电压，并具有先断后通的切换动作。当使用+5 V或±5 V电源时，所有控制逻辑输入的逻辑高电平保证为2 V；使用3 V电源时，为1.4 V。 DG636E的工作温度范围为-40 ℃至+125 ℃。它提供14引脚TSSOP和节省空间的1.8 mm×2.6 mm miniQFN封装。

商品特性

超低电荷注入（在整个模拟信号范围内典型值小于±0.3 pC），符合RoHS标准
85 ℃时最大漏电流<0.5 nA（适用于DG636EEQ-T1-GE4）
低开关电容（源极关断时典型值Cs(off)为3.7 pF）
在3 V、5 V单电源和±5 V双电源下进行全面规格定义
与CMOS/TTL兼容
700 MHz、-3 dB带宽
出色的隔离和串扰性能（10 MHz时典型值> -60 dB）
在-40 ℃至+85 ℃和-40 ℃至+125 ℃温度范围内进行全面规格定义
14引脚TSSOP和16引脚miniQFN封装（1.8 mm×2.6 mm）

应用领域

数据采集系统
医疗仪器
精密仪器
通信系统
自动化测试设备
采样保持电路
继电器替代

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

9.8折

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交6单

	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	2
	工作电压	3V~16V
	导通时间(ton)	58ns

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	96Ω
	关闭时间(toff)	61ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	导通电容(Con)	8.4pF
	带宽	700MHz