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FP100R12N2T7
1.2kV 100A
- 描述
- 特性：电气特性: -VCES = 1200V。ICnom = 100A / ICRM = 200A。低 VCESat。 可在高达 175℃ 下进行过载操作。 采用 TRENCHSTOP IGBT7。 机械特性: -具有低热阻的 Al₂O₃ 基板。应用：伺服驱动器。 辅助逆变器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP100R12N2T7
- 商品编号
- C44051119
- 商品封装
- 插件,107.5x45mm
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 214.133333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.72V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@2.5mA | |
| 输入电容(Cies) | 21.7nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 171ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 324ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 6.42mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.076nF |
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