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FP150R12N3T7
1.2kV 150A
- 描述
- 特性：集电极-发射极电压（VCES）：1200V。 连续集电极直流电流（ICDC）：150A。 集电极重复峰值电流（ICRM）：300A。 沟槽栅IGBT7。 过载操作达175℃。 低集电极-发射极饱和电压（VCE sat）。应用：辅助逆变器。 电机传动
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP150R12N3T7
- 商品编号
- C44051131
- 商品封装
- 插件,122x62.5mm
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 363.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@150A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@3.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5uC@600V,±15V | |
| 输入电容(Cies) | 30.1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 172ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 331ns | |
| 导通损耗(Eon) | 16.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 10.4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.105nF |
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