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BSZ0703LSATMA1
60V OptiMOs功率晶体管
- 描述
- 特性：针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素。 适用于高频开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0703LSATMA1
- 商品编号
- C43860081
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 专为充电器优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 非常适合高频开关应用