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GT040N10T
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：140A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.7mΩ@10V 4.6mΩ@4.5V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT040N10T
- 商品编号
- C43261052
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GT040N10T采用先进的沟槽技术,具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可广泛应用于多种场景。
商品特性
- VDS:100V
- ID(VGS=10V 时):140A
- RDS(ON)(VGS=10V 时):4.5mΩ
- RDS(ON)(VGS=4.5V 时):5.5mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器