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GT1K2N10I
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：3.3A@@阈值电压(Vgs(th))：2.2V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：91mΩ@10V 113mΩ@4.5V @@封装：SOT-23
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT1K2N10I
- 商品编号
- C43261055
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GT1K2N10I采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 100V
- ID(VGS = 10 V 时)3.3A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时)< 110mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 135 m Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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