EMMC16G-MW28-03022

金士顿的e·MMCTM产品符合JEDEC e·MMCTM 5.1标准。这些设备是许多商业和工业应用的理想通用存储解决方案。在单个集成封装设备中，e·MMCTM将多级单元（MLC）NAND闪存与板载e·MMCTM控制器相结合，为主机系统提供行业标准接口。集成的e·MMCTM控制器直接管理NAND闪存介质，从而减轻了主机处理器的这些任务，包括闪存介质错误控制、损耗均衡、NAND闪存管理和性能优化。JEDEC e·MMCTM标准的未来修订版将始终保持向后兼容性。与主机处理器的行业标准接口也确保了跨未来NAND闪存世代的兼容性，从而在产品生命周期内简化了产品维护。

金士顿的e - MMCTM产品支持多种配置，可使e - MMCTM设备适应您的特定应用需求。以下描述的最流行配置均以标准部件编号提供。

标准MLC - 默认情况下，e·MMCTM设备将NAND闪存配置为标准MLC模式。此配置为许多应用提供了合理的性能和可靠性。

伪单级单元（pSLC）– 金士顿e·MMCTM设备中的MLC NAND闪存可配置为进一步提高设备的耐久性、数据保留、可靠性和性能，优于标准MLC配置。这是通过将NAND MLC单元转换为伪单级单元（SLC）配置来实现的。在此配置中，除了性能和可靠性提升外，设备容量会减少50%。这种一次性配置是通过为硬件分区设置e·MMCTM增强属性来实现的。

增强可靠写入 – 当未配置为pSLC时，MLC NAND闪存每个NAND闪存单元在4个能级中存储2位信息。由于这些成对的位组织在不同的NAND页面中，因此在对一个页面进行编程时发生电源故障可能会损坏已编程的成对页面。对于金士顿e·MMCTM，这种情况很少见，并且由于设备内置的带有板载纠错码（ECC）位的数据保护，这种可能性进一步降低。启用可靠写入后，板载e·MMCTM控制器将备份任何成对页面，以确保在突然断电时不会丢失数据。与标准MLC配置相比，此配置可能会导致写入性能下降多达20%。

金士顿e·MMCTM可以预先配置可靠写入或pSLC选项，无需额外费用。标准MLC设备也可以通过遵循JEDEC e·MMCTM规范中概述的程序在现场进行一次性配置。JEDEC e·MMCTM规范允许进行许多其他配置，例如最多4个额外的通用（GpN）硬件分区，每个分区都可以选择支持pSLC和可靠写入。此外，金士顿提供内容加载服务，可以简化您的产品组装，同时降低生产成本。如需更多信息，请联系您的金士顿代表。

金士顿e·MMCTM设备完全符合JEDEC标准规范No. JESD84 - B51。本数据手册提供技术规格。

• 采用e - MMC 5.1接口的封装管理型NAND闪存
• 与所有先前的e - MMC规范版本向后兼容
• 153球JEDEC FBGA符合RoHS标准的封装
• 工作电压范围：VCCQ = 1.8V / 3.3V，VCC = 3.3V
• 工作温度：-25°C ~ +85°C，存储温度：-40°C ~ +85°C
• 符合e - MMC 5.1 JEDEC标准编号JESD84 - B51
• 工厂配置为伪单级单元（pSLC）模式，以提高可靠性和性能
• 工厂配置可靠写入
• 高速e - MMC协议
• 可变时钟频率为0 ~ 200MHz
• 十线总线接口（时钟、1位命令、8位数据总线），可选硬件复位
• 支持三种不同的数据总线宽度：1位（默认）、4位、8位
• 总线模式：
  • 单数据传输速率：最高52MB / s（在52MHz下使用8条并行数据线）
  • 双数据速率模式（DDR - 104）：在52MHz下最高104MB / s
  • 高速单数据速率模式（HS - 200）：在200MHz下最高200MB / s
  • 高速双数据速率模式（HS - 400）：在200MHz下最高400MB / s
• 支持备用启动操作模式，以提供简单的启动序列方法
• 支持SLEEP/AWAKE（CMD5），主机发起的显式睡眠模式以节省电源
• 增强的写保护，具有永久和部分保护选项
• 多个用户数据分区，具有增强属性以提高可靠性
• 无错误内存访问
• 循环冗余码（CRC），用于可靠的命令和数据通信
• 内部纠错码（ECC），用于提高数据存储完整性
• 内部增强数据管理算法
• 编程操作期间突发电源故障的数据保护
• 安全：安全坏块擦除命令，增强的写保护，具有永久和部分保护选项
• 睡眠时的电源关闭通知
• 现场固件更新（FFU）
• 生产状态感知
• 设备健康报告
• 命令队列
• 增强选通
• 缓存刷新报告
• 缓存屏障
• 后台操作控制和高优先级中断（HPI）
• RPMB吞吐量改进
• 安全写保护
• 预EOL信息
• 最佳尺寸
• 30000次编程 - 擦除循环的耐久性