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STDRIVEG610QTR
STDRIVEG610QTR
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- 描述
- 是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STDRIVEG610QTR
- 商品编号
- C43079849
- 商品封装
- QFN-18(4x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.4A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 9.2V~18V | |
| 上升时间(tr) | 22ns | |
| 下降时间(tf) | 11ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 45ns | |
| 传播延迟 tpHL | 45ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.45V | |
| 静态电流(Iq) | 860uA |