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OSM7N65A
650V N沟道MOSFET
- 描述
- 是一款在栅源电压10V时可实现最大1.7Ω导通阻抗，7A持续电流的650VN沟道MOS器件。具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。采用TO-220-FB和TO-263封装。
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM7N65A
- 商品编号
- C42924269
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.29125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
OSM7N65A 是一款在栅源电压 10V 时可实现最大 1.7Ω 导通阻抗, 7A 持续电流的 650VN 沟道 MOS 器件。 OSM7N65A 具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM 控制等应用场景。 OSM7N65A 采用 TO-220-FB 和 TO-263 封装。
商品特性
- 电压等级：650 V，电流：7A
- 在 VGS 为 10 V时，RSS（开启状态）的阻值≤ 1.7 欧姆
- 具有快速开关能力
- 指定雪崩能量
- 提高了 dv/dt 能力，具有高坚固性
- TO-220-FB 和 TO-263 封装形式
应用领域
- 电信及工业自动化中的电源管理
- 电动工具、电动汽车、机器人技术中的电机驱动
- 直流/直流及交流/直流（开关型）子系统中的电流切换