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XR30N03
N沟道30V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR30N03
- 商品编号
- C42456776
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 551pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品概述
XR30N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,在大多数同步降压转换器应用中可实现出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷性能。 XR30N03符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术