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XR8N04Q
N沟道40V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和效率。符合 RoHS 和绿色产品要求，并通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR8N04Q
- 商品编号
- C42456791
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR8N04Q是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。XR8N04Q符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术