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MS15N90ICT1
MOSFET 国产 高压 900V 15A TO-220F塑封
- 描述
- MOSFET 国产 高压 900V 15A TO-220F塑封
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS15N90ICT1
- 商品编号
- C42445163
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.958克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 67.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 40 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 11 mΩ（典型值：9.6 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的出色封装