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MMBT2222LT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMBT2222LT1G

NPN 电流:600mA 电压:30V

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描述
该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MMBT2222LT1G
商品编号
C43496
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)35@0.1mA,10V
属性参数值
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA
电压 - 集射极击穿(最大值):30V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值:300mW
频率 - 跃迁:250MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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