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FQPF12N60SE
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
- 描述
- N-Channel沟道，BVDSS=650V,ID=12A，RDS(on):0.68Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQPF12N60SE
- 商品编号
- C42432646
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款20V N沟道MOSFET是双芯片类型，基于美微科（MDD）独特的器件设计，可实现低导通电阻RDS(on)和快速开关特性。
商品特性
- 低固有电容
- 出色的开关特性
- 扩展的安全工作区
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 44nC(典型值)
- BVDSS = 650V,ID = 12A
- RDS(导通):0.68 Ω(最大值)@VG = 10V
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的负载开关-电池供电系统-DC-DC转换器-LCD显示器逆变器-便携式设备