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BM20P12A
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- BM20P12A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM20P12A
- 商品编号
- C42432420
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 198pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 表面贴装封装
- 静电放电（ESD）保护（人体模型（HBM））高达2KV
- 在栅源电压（VGS）为10V时，漏源导通电阻（RDS(on)）小于3Ω
应用领域
- 开关应用
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