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BMQ100N38实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BMQ100N38

耐压:100V 电流:38A

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私有库下单最高享92折
描述
VDS=100V,ID=38A,DFN3333封装
商品型号
BMQ100N38
商品编号
C42432421
商品封装
DFN3333-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.109克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)23W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)445pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 100 V,栅源电压(VGS) = 10 V时,漏极电流(ID) = 38 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V时,典型导通电阻RDS(ON) = 7.0 mΩ(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,典型导通电阻RDS(ON) = 9.0 mΩ(典型值)
  • 超低导通电阻RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 无铅引脚电镀
  • 无卤且符合RoHS标准

应用领域

  • 计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理
  • 直流/直流与交流/直流(同步整流)子系统的电流切换
  • 负载切换、快速/无线充电、电机驱动

数据手册PDF