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LWS1H150AD3
P沟道功率MOSFET，采用先进SGT技术，具备快速开关、低栅极电荷和导通电阻等特性，适用于多种应用
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- 商品型号
- LWS1H150AD3
- 商品编号
- C42420007
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 677pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53.6pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
LWS1H150AD3采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于各种应用。封装形式为PDFN3.3×3.3 - 8L，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻（RDS(ON)）
- 低反向传输电容
应用领域
- DC - DC转换器
- 便携式设备
- 电源管理