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GBI7251TBKR

20V,2A(peak source and sink current) Single Channel High Speed Low Side HEMT GaN Driver

描述
GBI7251是单通道高速低端栅极驱动器,可为氮化镓(GaN)功率器件提供2A的峰值源电流和2A的灌电流,同时具备集成的6V低压差线性稳压器(LDO)轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出上升传播延迟为15ns,输入到输出下降传播延迟为13ns,20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。其负输入电压可低至5V,以增强输入抗噪能力
商品型号
GBI7251TBKR
商品编号
C42420010
商品封装
TSOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.047606克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
驱动通道数1
工作电压5.2V~20V
上升时间(tr)9ns
下降时间(tf)5ns
属性参数值
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)3.1V
输入低电平(VIL)1.15V
静态电流(Iq)104uA

数据手册PDF

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