GBI7251TBKR
20V,2A(peak source and sink current) Single Channel High Speed Low Side HEMT GaN Driver
- 描述
- GBI7251是单通道高速低端栅极驱动器,可为氮化镓(GaN)功率器件提供2A的峰值源电流和2A的灌电流,同时具备集成的6V低压差线性稳压器(LDO)轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出上升传播延迟为15ns,输入到输出下降传播延迟为13ns,20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。其负输入电压可低至5V,以增强输入抗噪能力
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI7251TBKR
- 商品编号
- C42420010
- 商品封装
- TSOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047606克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 5.2V~20V | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 3.1V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.15V | |
| 静态电流(Iq) | 104uA |
优惠活动
购买数量
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