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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BCT5N65

N沟道 耐压:650V 电流:5A

描述
耐压(Vr):650V 漏极电流(Io):5A 导通热阻:2.7欧
品牌名称
baocheng(宝乘)
商品型号
BCT5N65
商品编号
C42418149
商品封装
TO-220F​
包装方式
编带
商品毛重
0.48495克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)32W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)3.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)55pF

商品概述

该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。

商品特性

  • 低 RDS(on)
  • 低栅极电荷(典型值 Qg = 12 nC)
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正
  • 开关模式电源
  • LED驱动器

数据手册PDF