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TW30P04CC
P沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- P沟道/40V/30A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW30P04CC
- 商品编号
- C42417386
- 商品封装
- PDFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08978克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- TW30P04CC是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
- TW30P04CC符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-LED应用-手持设备