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PMV30UN2R-TP
无 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- PMV30UN2R-TP
- 商品编号
- C42411034
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 574pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON) 降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 6A
- 栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 23mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 35mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式设备的电池管理
- 逻辑电平转换