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SPF15N65T1T2TL-JSM

650V、15A IGBT器件

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描述
特性:提供高达650V的高击穿电压。 低Vce饱和电压。 由于Vce饱和电压具有正温度系数,易于并联开关。 非常快速且软恢复的反并联二极管。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层。应用:UPS。 空调
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
SPF15N65T1T2TL-JSM
商品编号
C42400693
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)30A
耗散功率(Pd)91W
输出电容(Coes)78pF
正向脉冲电流(Ifm)60A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.3V@15A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)42nC@15V
输入电容(Cies)1.2703nF
开启延迟时间(Td(on))12ns
关断延迟时间(Td(off))30ns
导通损耗(Eon)240uJ
关断损耗(Eoff)570uJ
反向恢复时间(Trr)36ns
反向传输电容(Cres)28.3pF

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