SPF15N65T1T2TL-JSM
650V、15A IGBT器件
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- 描述
- 特性:提供高达650V的高击穿电压。 低Vce饱和电压。 由于Vce饱和电压具有正温度系数,易于并联开关。 非常快速且软恢复的反并联二极管。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层。应用:UPS。 空调
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SPF15N65T1T2TL-JSM
- 商品编号
- C42400693
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 91W | |
| 输出电容(Coes) | 78pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 60A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@15A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.2703nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 30ns | |
| 导通损耗(Eon) | 240uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 570uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 36ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 28.3pF |
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