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JSM6003XY
60V/3.5A N沟道先进功率MOSFET
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM6003XY
- 商品编号
- C42400697
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 362pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 在VGS = 10V时具有低导通电阻RDS(ON)
- 5V逻辑电平控制
- N沟道SOT23-3L封装
- 无铅,符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电池开关
- DC/DC转换器
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