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3080K-GK
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 3080K-GK
- 商品编号
- C42395458
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.153nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 287pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 327pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、80A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 3.4 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 5.7 mΩ(典型值)
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
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