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ES0103Y
N沟道，100V，3A，120mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.0A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120.0mΩ@10V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES0103Y
- 商品编号
- C42394322
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
ES0103Y是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES0103Y为无铅产品。
商品特性
- 100V, RDS(on) = 120 m Ω (典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(on) = 130 m Ω (典型值)@ VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换
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