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ES0110K实物图
  • ES0110K商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ES0110K

N沟道,100V,9.0A,100.0mΩ@10V,5.0A,1.5V@250uA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,5.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
ES0110K
商品编号
C42394323
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)610pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)40pF

商品概述

ES0110K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES0110K为无铅产品。

商品特性

  • 100V, RDS(ON) = 100 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 110 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
  • 采用沟槽MOSFET技术
  • 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
  • 材料:无卤
  • 可靠耐用
  • 具备雪崩额定值
  • 低泄漏电流

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 便携式/台式PC的电源管理
  • DC/DC转换

数据手册PDF