HNDSH20120C

碳化硅肖特基二极管

描述

这款碳化硅二极管设计有20安培的正向电流容量（IF/A），并能承受1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向测试中，漏电流（IR/uA）不超过200微安。此外，该二极管能够承受高达130安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适用于高频开关和电源管理电路中，保障了在复杂环境下的高效与稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNDSH20120C

商品编号

C42389247

商品封装

TO-247-2L​

包装方式

管装

商品毛重

6.8克(g)