HIDK10G120C5

HIDK10G120C5

描述

这款碳化硅二极管设计有10安培的正向电流（IF/A），并能承受高达1200伏特的反向电压（VR/V），适用于需要坚固电气性能的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）限制在100微安，体现了出色的绝缘特性。此外，此元件支持最高90安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），能够在复杂的工作环境中提供可靠的过流保护。这些技术规格使其成为构建高性能电力转换系统及其他对效率与稳定性有要求的解决方案的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HIDK10G120C5

商品编号

C42389236

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1.9克(g)