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ZXMP10A13FTA
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 可在低至4.5V的栅极电压下工作。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 商品型号
- ZXMP10A13FTA
- 商品编号
- C42387315
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 可在低至4.5V的栅极电压下工作
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源