GHD3440QE
三相200V栅极驱动器
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- 描述
- GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC,专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计,适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns,当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时,实际死区时间为内嵌死区时间,反之,当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时,实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。
- 品牌名称
- Geehy(极海半导体)
- 商品型号
- GHD3440QE
- 商品编号
- C42385771
- 商品封装
- QFN24
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 工作电压 | 5.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 90ns | |
| 下降时间(tf) | 60ns | |
| 传播延迟 tpLH | 200ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 650mV~1.85V | |
| 静态电流(Iq) | 165uA |
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