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SIHG20N50C
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
- 描述
- N沟道,20A,500V,导通电阻：0.23Ω
- 品牌名称
- OSEN(欧芯)
- 商品型号
- SIHG20N50C
- 商品编号
- C42381450
- 商品封装
- TO-247S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.137778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能