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OSD80P06T
1个P沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- P沟道,电流-80A,耐压-60v,导通电阻：17mΩ
- 品牌名称
- OSEN(欧芯)
- 商品型号
- OSD80P06T
- 商品编号
- C42381465
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46852克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 129nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
-开关速度快-高输入阻抗和低电平驱动-雪崩能量测试-提高 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
-高效率开关电源-功率因数校正-电子整流器