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2N7002_R1_00001-CN
N沟道MOSFET
- 描述
- N-Channel 60 V 115mA 225mW Surface Mount SOT-23
- 品牌名称
- ChipNobo(无边界)
- 商品型号
- 2N7002_R1_00001-CN
- 商品编号
- C42379415
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V；7Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HSH3129是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH3129符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证耐雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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