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MMBT5551LT1G-CN

电流:600mA 电压:160V

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描述
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23
商品型号
MMBT5551LT1G-CN
商品编号
C42379420
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.029767克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)300
特征频率(fT)300MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV
工作温度-
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN
配置-

商品特性

  • 最大功率耗散 300 mW;功率耗散 300 mW
  • 高稳定性和高可靠性。

数据手册PDF