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MD5035E30QA3

超低功耗LDO，带通/断开关的CMOS稳压器

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描述: 超低功耗LDO稳压芯片 MD5035是采用CMOS工艺制造的超低功耗低压差稳压器（LDO）。它可以提供高达200mA的电流，同时仅消耗50nA的静态电流。它专为静态电流极低是关键参数的应用而设计。
品牌名称: 明达微
商品型号: MD5035E30QA3
商品编号: C42377916
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0355克(g)

商品参数

商品概述

MD5035是采用CMOS工艺制造的超低功耗低压差线性稳压器（LDO）。它能够提供高达200mA的电流，而静态电流仅消耗50nA。它专为对超低静态电流有严格要求的应用而设计。即使在压差模式下，它也能保持低IQ消耗，从而进一步延长电池寿命。当处于关断或禁用模式时，该器件的IQ超低，仅为5nA，有助于延长电池的存放寿命。 MD5035具有一个智能使能电路，其内部控制下拉电阻，即使EN引脚悬空，也能使LDO保持禁用状态，并有助于减少用于下拉EN引脚的外部元件数量。当器件启用时，该电路还有助于减少通过外部下拉电路汲取的电流。 MD5035是一款超低IQ线性稳压器，针对出色的瞬态性能进行了优化。这些特性使该器件非常适合大多数电池供电的应用。这款低压差线性稳压器（LDO）具备主动放电、折返式限流、关断和热保护功能。 MD5035包含多个创新电路，以确保出色的瞬态响应。动态偏置在瞬态期间短时间内增加IQ，以扩展闭环带宽并改善对瞬态的输出响应时间。自适应偏置随着直流负载电流的增加而增加I0，扩展环路带宽。由于采用了缓冲参考拓扑结构，输出电压范围内的响应时间是恒定的，这使得控制环路在任何输出电压下都能保持单位增益。这些特性使器件在瞬态期间具有较宽的环路带宽，确保出色的瞬态响应，同时在稳态条件下保持低IQ。该器件具有一个内部下拉MOSFET，当器件禁用时，它将RPULLDOWN电阻接地，以主动释放输出电压。主动放电电路由使能引脚或欠压锁定（UVLO）激活。

商品特性

超低静态电流：50nA
高精度：±2%
压差电压：200mV@IOUT = 200mA
最大输出电流：200mA
输入电压范围：2V~6.0V
温度稳定性：±30ppm/℃
开/关逻辑 = 高电平使能
关断电流：5nA
保护电路：限流、短路、热关断
输出电容：兼容低ESR陶瓷电容

应用领域

可穿戴电子设备
恒温器、烟雾和热探测器
燃气、热量和水表
血糖监测仪和脉搏血氧仪
住宅断路器和故障指示器
建筑安全和视频监控设备
电子销售点（EPOS）读卡器

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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)

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	属性	参数值
	商品目录	线性稳压器(LDO)
	输出类型	固定
	工作电压	6V
	输出电压	3V
	输出电流	200mA
	电源纹波抑制比(PSRR)	50dB@(1kHz)
	压差	200mV@(200mA)

	属性	参数值
	静态电流(Iq)	50nA
	噪声	340uVrms
	特性	过流保护；短路保护；热关断
	工作温度	-40℃~+85℃@(Ta)
	输出极性	正极
	输出通道数	1