G2301C
G2301C
- 描述
- G2301C 是一款为控制 P&N 沟道 MOSFETs 而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3 个半桥，共驱动 3 个 P 沟道功率 MOSFETs 和 3 个 N 沟道功率 MOSFETs，每一路输出 均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部 集成了5V的 LDO，电流能力达到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下 桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2301B 封装类型为 ESOP16。
- 品牌名称
- SGKS(森国科)
- 商品型号
- G2301C
- 商品编号
- C42377504
- 商品封装
- ESOP-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 3 | |
| 灌电流(IOL) | 300mA | |
| 拉电流(IOH) | 35mA | |
| 工作电压 | 8V~40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 400ns | |
| 传播延迟 tpLH | 80ns | |
| 传播延迟 tpHL | 30ns | |
| 特性 | 过热保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |