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G2301B-J

描述: G2301B-J 是一款为控制 P&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥，共驱动 3 个 P 沟道功率 MOSFETs和 3 个 N 沟道功率 MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由 MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO，电流能力达到 100mA。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2301B-J 封装类型为 ESOP16。
品牌名称: SGKS(森国科)
商品型号: G2301B-J
商品编号: C42377505
商品封装: ESOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.24克(g)

商品参数

商品概述

G2301B-J 是一款为控制P&N 沟道MOSFETs而设计的三路Gate 驱动IC。芯片内部有3个半桥，共驱动3 个P 沟道功率MOSFETs和3 个N 沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了3.3/5V 的LDO，电流能力达到100mA。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。G2301B-J 封装类型为 ESOP16。

商品特性

内置LDO带载能力强达100mA
P/N MOS 半桥、三路输出
输入工作电压范围7V~28V
LDO 3.3V/5V可选，且具有限流保护
内置过温关闭保护功能
内置输入欠压功能
内置死区时间

应用领域

电机驱动
工业控制
桥式电路前级驱动
电动自行车/电动工具

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	3
	灌电流(IOL)	200mA
	拉电流(IOH)	130mA
	工作电压	7V~28V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	60ns
	下降时间(tf)	120ns
	传播延迟 tpLH	80ns
	传播延迟 tpHL	50ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+105℃